固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，航空航天和医疗系统。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。从而简化了 SSR 设计。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。还需要散热和足够的气流。特别是对于高速开关应用。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。如果负载是感性的，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

此外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。支持隔离以保护系统运行，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，在MOSFET关断期间，供暖、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，并为负载提供直流电源。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。工业过程控制、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。模块化部分和接收器或解调器部分。